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M27C512-12B1 Memoria CMOS EPROM

M27C512-12B1 Memoria CMOS EPROM

CIMM27C51212B1

$ 199.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Circuito integrado M27C512-12B1. Memoria EPROM OTP 64 K  X 8 12 0nS  de 512 Kbit en dos  gamas UV (borrado ultravioleta) y OTP (una tiempo programable). Es ideal para aplicaciones rápidas y experimentación son requisitos importantes y
organizado como 65.536 por 8 bits, con  ventana cerámica y tapa transparente que permite al usuario exposar el chip a la luz ultravioleta para borrar el bit pattern donde un nuevo patrón se puede escribir en el dispositivo siguiendo el procedimiento de programación.

Especificaciones

  • Voltaje de operación: 5 V
  • Tiempo de  acceso de  45 ns
  • Consumo de potencia bajo
  • Rango de voltaje:12.75 V - 0.25 V
  • Libre de plomo
  • Antiestático: CMOS
  • Encapsulado: DIP
  • Número de pines: 28

Sustituto

No Aplica

Documentación

Nota: Circuito integrado sensible, tomar precauciones durante su manipulación como pulsera antiestática

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