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Descripción

M27128A-2F1 Es un tipo de chip de memoria EPROM no volátil. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas).  
Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico, como el Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROM se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

Especificaciones

  • Tensión de alimentación: 0.6 - 6.25 V
  • Voltaje de entrada: 0.6 - 6.25 V
  • Voltaje de salida: 0.6 - 6.25 V
  • Tiempo de acceso rápido: 200 ns
  • Rango de temperatura ampliado
  • Corriente de espera: 40 mA 
  • Algoritmo de programación: Rápido
  • Voltaje de programación: 12 V
  • Borrable
  • Encapsulado: DIP
  • Número de pines: 28

Documentación

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