Inicio
» M27C010QE-150 Memoria CMOS EPROM
M27C010QE-150 Memoria CMOS EPROM

M27C010QE-150 Memoria CMOS EPROM

CIM27C010QE150

$ 95.00 MXN

Precio Regular: $ 160.00
Precio incluye IVA

Descripción

Circuito Integrado FM27C010QE150 es una memoria EPROM que se progra mediante un dispositivo electrónico, como el Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.  Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROM se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

Especificaciones

  • Categoría del producto: EPROM
  • Serie: M27C010
  • Tipo de interfaz: Paralelo
  • Tamaño de la memoria: 1 Mbit
  • Organización: 128 K x 8
  • Tensión de alimentación mínima: 4.5 V
  • Tensión de alimentación máxima: 5.5 V
  • Corriente de suministro operativa: 30 mA
  • Tensión de programación: 12.75 V
  • Activación  salida tiempo de acceso: 50 ns
  • Tiempo de acceso: 150 ns
  • Temperatura de trabajo mínima: 0 °C
  • Temperatura de trabajo máxima: + 85 °C
  • Encapsulado: DIP
  • Número de pines: 24 pines
  • Marca: Fairchild Semiconductor

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

Nota: Circuito integrado sensible, tomar precauciones durante su manipulación como pulsera antiestática.

Productos Relacionados

Comentarios