$ 14.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor ST04N20D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
EL ST04N20D  es un Mosfet de canal N  diseñado para minimizar la resistencia del estado, particularmente en  aplicaciones de baja tensión como administración de energía y alimentación de   baterías.

 

  • Resistencia de encendido excepcional y capacidad máxima de corriente CC
  • Súper alta densidad para un RDS (ON) extremadamente bajo

Especificaciones

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 200 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 4 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 15 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 68 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máximo: 0.400 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-252
  • 3 pines

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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